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與 LPDDR4/4X DRAM 相比，LPDDR5 DRAM 支持高達 6400 Mbps 的數(shù)據(jù)速率和在更低的工作電壓（VDD 的 1.05/0.9V 和 I/O 的 0.5/0.35V）下支持更大的設(shè)備尺寸（每個通道 2Gb 至 32Gb）。表 1 顯示了 LPDDR5 和 LPDDR4 DRAM 之間的比較： ? LPDDR5 DRAM LPDDR4 DRAM ...

LPDDR5是什么？ LPDDR全稱Low Power Double Data Rate，是美國JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會面向低功耗內(nèi)存而制定的通信標準，以低功耗和小體積著稱，專門用于移動式電子產(chǎn)品。簡稱“低功耗內(nèi)存”。而LPDDR5就是最新的標準。 JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會）把LPDDR5 標準叫做JESD209-5。標準規(guī)定了LPDDR5將以6400MT/s的速率運行，是LPDDR4的兩...

內(nèi)存技術(shù)也經(jīng)歷著不斷更新迭代，如今，雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM 或直接稱為 DRAM）技術(shù)，已成為幾乎所有從高性能企業(yè)數(shù)據(jù)中心到注重功耗/面積的移動應(yīng)用中的普遍的存儲器。這一切都要歸功于DDR 的高密度特性，其采用了電容器作為存儲元件的簡單架構(gòu)具有高性能、低延遲、高訪問壽命以及低功耗等特點。 內(nèi)存接口芯片是內(nèi)存模組（又稱內(nèi)存條）的核心器件。作為服務(wù)器CPU 存...

DDR4 在一些服務(wù)器和工作站上已經(jīng)開始使用，DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以達到 3200Mb/s,這樣高速的信號，對信號完整性的要求就更加嚴格，JESD79‐4 規(guī)范也對 DDR4 信號的測量提出了新的要求， 本文就要討論一下 DDR4 測試面臨的新挑戰(zhàn)。 DDR4新的特性 DDR4 相比 DDR3，有很多新的變化，首先它的帶寬提高了近一倍，最高達到 ...

Serial Flash 量測問題 在許多的電子產(chǎn)品中都有使用 Serial Flash的需求，它有較簡單的控制程序與電路以及可靠的儲存能力，使它倍受青睞。因此，常被用于電子產(chǎn)品里放置較關(guān)鍵的開機程序(Boot code)或系統(tǒng)設(shè)定資料(System setting)。每當系統(tǒng)啟動時，Serial Flash 就會忙碌起來，盡快的把儲存在里面的程序或資料載入系統(tǒng)內(nèi)。但越來越復雜的命令組合以...

近年以來受惠影音消費性電子產(chǎn)品興起的熱潮，消費者對資料儲存的需求與日俱增，使得NAND Flash的需求出現(xiàn)大幅度的成長。 快閃記憶體(Flash Memory)目前分為NOR和NAND兩種，NOR、NAND Flash結(jié)構(gòu)由東芝(Toshiba)于1988 和1989年發(fā)表。 NOR Flash具有XIP (eXecute In Place)的特點，這樣應(yīng)用程序可以直接在Flash內(nèi)運行...